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- 갈륨 도핑 산화아연(GZO) 세라믹 타겟(3.4% 도펀트), 99.99%, 6.9'' x 4.3'' x 0.2''
- 고순도 이리듐(Ir) 타겟
- 고순도 금(Au) 타겟
- 고순도 구리(Cu) 스퍼터링 타겟
- 고순도 은(Ag) 타겟
- 구리 백킹 플레이트 타겟
- 고순도 산화아연(ZnO) 타겟
- 고순도 SrTiO3 Target 1" Dia x 0.25" 두께 세라믹
- 고순도 셀렌화납(PbSe) 타겟, 2.003" dia x 0.129''
- 고순도 알루미늄(Al) 타겟, 99.99%
- 고순도 99.99% 산화알루미늄(AL2O3) 타겟, 2" 직경 x 2mm
- Pt 타겟, 99.99% 2"x3.0mm
- SrTiO3 타겟, 99.99% 2" 직경 x 0.25" 두께 세라믹-TG-STO-50D0635-US
- SrRuO3 대상 99.9% 2" 직경 x 0.25" 두께-TG-SrRuO3-50D06-US5
- Cu(9)In(11) 타겟, 순도: 99.99%, 4" dia.x 0.125"
- Si 단결정 타겟, P-도핑(100) 3" x 4.0mm, 연마되지 않음-TG-SiPa76D40CN
- Si 단결정 타겟, N형, 도핑되지 않음, (100) ori., 3'' dia x 6.0 mm, 미세 연마, R1000 ohm.cm-TG-SiU76D60CN
- ZnS Target, 99.99%, 4" dia x1/8" 구리 백킹 플레이트 포함
- Si 단결정 타겟, N형, 도핑되지 않은 4"x0.25", 연마되지 않은 R:1000 ohm.cm- TG-GaN15D30CN
- 구리 백킹 및 클래딩 플레이트가 있는 PbS 타겟, 순도: 99.99%
- 증착용 MgO 단결정, 5x5x5mm 절단
- 증착용 MgF2 단결정, 2.8-6mmm 단위: 그램
- 박막 전지의 음극용 LiNiCoMnO2 타겟
- 박막전지 음극용 LiMn2O4 타겟
- 박막 배터리 음극용 LiFePO4 타겟
- 증착용 GaAs 단결정, 절단 시 5x5x5mm
- 증발용 CdWO4 단결정, 절단 시 5x5x5 mm
- 증발용 CaF2 단결정, 절단 시 5x5x5 mm
- GaN 대상, 99.99% 15mmx3.0mm,TG-GaN15D30CN
- 전도성 세라믹 타겟(1" Dx 0.3 mm t ) Li1.5Al0.5Ge1.5P3O12
- BiFeO3 타겟, 구리(Cu) 백킹 플레이트(두께 0.111")에 대한 3" 직경 x 0.125" 두꺼운 본드
- 증착용 Al2O3 단결정, 순도 99.99%, 절단 시 5x5x5 mm
- Al2O3 Target , 순도 : 99.99%, 두께 6.9"x8.9"x0.25",Target-Al2O3-172-222-0635CN
- Ba0.5Sr0.5TiO3 목표, 99.99%
- Zr 타겟, 99.99% ,8.9"x6.9"x0.25",TG-Zr-222-172-0635CN
- Cu(1%Ga) 타겟, 순도: 99.99% 4" dia. x0.25"
- Cd 타겟, 순도: 구리 백킹 플레이트 포함 99.999% 2"dia. x1/8"
- 고순도 스테인리스 스틸 타겟, 2" dia.x 0.3mm