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sputtering-target
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BiFeO3 타겟, 구리(Cu) 백킹 플레이트(두께 0.111")에 대한 3" 직경 x 0.125" 두꺼운 본드
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전도성 세라믹 타겟(1" Dx 0.3 mm t ) Li1.5Al0.5Ge1.5P3O12
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GaN 대상, 99.99% 15mmx3.0mm,TG-GaN15D30CN
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증발용 CaF2 단결정, 절단 시 5x5x5 mm
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증발용 CdWO4 단결정, 절단 시 5x5x5 mm
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증착용 GaAs 단결정, 절단 시 5x5x5mm
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박막 배터리 음극용 LiFePO4 타겟
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박막전지 음극용 LiMn2O4 타겟
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박막 전지의 음극용 LiNiCoMnO2 타겟
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증착용 MgF2 단결정, 2.8-6mmm 단위: 그램
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증착용 MgO 단결정, 5x5x5mm 절단
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Si 단결정 타겟, N형, 도핑되지 않은 4"x0.25", 연마되지 않은 R:1000 ohm.cm- TG-GaN15D30CN
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ZnS Target, 99.99%, 4" dia x1/8" 구리 백킹 플레이트 포함
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Si 단결정 타겟, N형, 도핑되지 않음, (100) ori., 3'' dia x 6.0 mm, 미세 연마, R1000 ohm.cm-TG-SiU76D60CN
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Si 단결정 타겟, P-도핑(100) 3" x 4.0mm, 연마되지 않음-TG-SiPa76D40CN